- 东尼半导体请求适用于电阻法的碳化硅长晶坩埚专利有用抑制粉料外表寄生结晶
国家知识产权局信息数据显现,湖州东尼半导体科技有限公司请求一项名为“一种适用于电阻法的碳化硅长晶坩埚”的专利,公开号CN121853173A,请求日期为2026年1月。
专利摘要显现,本发明触及一种适用于电阻法的碳化硅长晶坩埚,归于半导体资料制备技术领域。该坩埚包含侧壁、底部、上盖及由侧壁和底部围成的内腔。侧壁包含上侧壁和下侧壁,内腔对应分为上腔和下腔。上腔为等直径圆柱形,下腔为自上而下渐扩的锥台形。该结构能明显优化质料区热场散布,增大轴向温度梯度以强化输运动力,一起减小径向温度梯度,有用抑制粉料外表寄生结晶,提高质料利用率和气相输运稳定性。本发明经过自动的几许规划,协同调控热场、流场与物质场,为生长高质量、大尺度碳化硅单晶供给了要害配备支撑,对推进宽禁带半导体工业高质量开展具有极端严重工程价值。
天眼查资料显现,湖州东尼半导体科技有限公司,成立于2022年,坐落湖州市,是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3044.4445万人民币。经过天眼查大数据分析,湖州东尼半导体科技有限公司参加招投标项目4次,专利信息20条,此外企业还具有行政许可9个。
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