坩埚
- 中电化合物半导体获得一种组成碳化硅粉料的坩埚专利削减碳化硅粉料组成进程对坩埚的腐蚀
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金融界2024年11月15日音讯,国家知识产权局信息数据显现,中电化合物半导体有限公司获得一项名为“一种组成碳化硅粉料的坩埚”的专利,授权公告号CN 221999821 U,请求日期为2024年3月。
专利摘要显现,本实用新型公开了一种组成碳化硅粉料的坩埚,至少包含:盖体,所述盖体的中心设置孔洞;石墨板,设置在盖体的一侧,且所述石墨板的中心设置匹配孔洞;衔接件,顺次贯穿所述孔洞和所述匹配孔洞,衔接所述石墨板和所述盖体;坩埚主体,设置在所述石墨板远离所述盖体的侧以及卡套件,套设在所述坩埚主体接近所述石墨板一侧的内壁上,且所述卡套件的中心为空心状。经过本实用新型供给的坩埚,可以削减碳化硅粉料组成进程对坩埚的腐蚀,延伸坩埚的使用寿命。
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