碳化硅陶瓷
- 12英寸碳化硅晶圆激光剥离技术取得重大突破 大幅度降低生产成本
产品详情
(原标题:12英寸碳化硅晶圆激光剥离技术取得重大突破 大幅度降低生产成本)
人民财讯9月8日电,近期,中国科学院半导体研究所科技成果转化企业北京晶飞半导体科技在碳化硅晶圆加工技术领域取得重大突破,成功利用自主研发的激光剥离设备实现了12英寸碳化硅晶圆的剥离。该突破标志着中国在第三代半导体关键制造装备领域迈出重要一步,为全球碳化硅产业的降本增效提供了全新解决方案。
本次技术突破对碳化硅产业高质量发展具有多重意义,最重要的包含:大幅度降低生产所带来的成本:12英寸碳化硅晶圆相比目前主流的6英寸晶圆,可用面积提升约4倍,单位芯片成本降低30%—40%;提升产业供给能力:解决了大尺寸碳化硅晶圆加工的技术瓶颈,为全球碳化硅产能扩张提供了设备保障;加速国产化替代进程:打破了国外厂商在大尺寸碳化硅加工设施领域的技术垄断,为我国半导体装备自主可控提供了重要支撑;促进下游应用普及:成本降低将加速碳化硅器件在新能源汽车、可再次生产的能源等领域的应用。
以上内容与证券之星立场无关。证券之星发布此内容的目的是传播更多详细的信息,证券之星对其观点、判断保持中立,不保证该内容(包括但不限于文字、数据及图表)全部或者部分内容的准确性、真实性、完整性、有效性、及时性、原创性等。相关联的内容不对各位读者构成任何投资建议,据此操作,风险自担。股市有风险,投资需谨慎。如对该内容存在异议,或发现违法及不良信息,请发送邮件至,我们将安排核实处理。如该文标记为算法生成,算法公示请见 网信算备240019号。
