金元证券《碳化硅赋能AI工业：从芯片封装到数据中心的中心资料革新》陈述，聚集碳化硅（SiC）在AI工业的中心使用，从数据中心供电、芯片封装、制作工艺及国内商场格式等维度，分析其技能价值与工业潜力。

　　碳化硅在数据中心供电体系中不可或缺。AI服务器单机柜功率提高至数百千瓦，对供电功率、功率密度要求苛刻。SiC MOSFET因1200V以上高耐压、低损耗特性，成为电源供给单元（PSU）前端AC-DC改换中心器材，如无桥图腾柱PFC拓扑中，可将转化功率提高至99%以上，削减散热本钱。2025年数据中心PSU商场规划估计75亿美元，2030年达141亿美元（CAGR 15.5%），其间3kW以上高功率PSU占比将达80%。宽禁带模块（SiC/GaN）浸透率从2025年10%升至2030年24%，台达、光宝、华为等头部企业已布局相关这类的产品。一起，固态变压器（SST）技能鼓起，SiC器材助力完成10-35kV中压沟通直接转化为800V直流，简化配电链路，提高体系功率。

　　芯片封装范畴，碳化硅破解高暖流密度难题。高端GPU/AI芯片功耗达千瓦级，传统硅、玻璃中介层在散热、绝缘性上存瓶颈。SiC热导率（400-500W/m·K）是硅的3倍，半绝缘型SiC电阻率达10^8Ω·cm，兼具高热导与高绝缘性，可用于热界面资料（TIM2）与硅中介层替换。2025年全球CoWoS及类CoWoS封装产能达88.5万片（同比+108%），若SiC彻底代替中介层与TIM资料，衬底及外延需求将达CoWoS产能2倍（12英寸计）。不过，12英寸SiC晶圆加工难度大、本钱高，国内天岳先进已打破12英寸衬底技能，推进工艺老练。

　　制作工艺上，衬底与设备国产代替加快。导电N型衬底为商场干流，8英寸衬底销量估计从2024年4.61万片增至2030年70.4万片（CAGR 58%）。设备端，PVT（物理气相传输）炉商场北方华创占比61%，外延设备、离子注入设备需求杰出，2024年碳化硅器材出产设备规划35.07亿美元，2026年达峰值51.29亿美元，量检设备因资料缺点多需求最高（2024年7.25亿美元）。激光切开技能（如Disco KABRA）可削减SiC切开损耗，提高晶圆产出1.4倍。

　　国内商场出现“衬底抢先、器材追逐”格式。2024年全球碳化硅器材商场43.6亿美元，2030年将达229.45亿美元（CAGR 32%），但意法半导体、英飞凌等世界厂商占83%比例，国内企业（芯联集成、三安光电等）市占率虽同比大增，但代替空间宽广。国内工业链出资约80亿美元，天岳先进、露笑科技在衬底范畴抢先，北方华创、晶盛机电在设备端国产代替中获益。笔直整合企业更具优势，以1200V SiC MOSFET为例，外延片（衬底+外延）占本钱60%，整合衬底环节可提高毛利空间。

　　陈述指出，碳化硅是AI工业降本增效要害资料，主张重视器材厂商（扬杰科技、斯达半导）、衬底及设备企业（天岳先进、北方华创）。危险大多数来源于国内厂商浸透率没有抵达预期、产能扩张致价格压力及技能道路变化。