金融界2024年12月11日音讯，国家知识产权局信息数据显现，江苏超芯星半导体有限公司请求一项名为“一种多孔碳化钽陶瓷及其制备办法与使用”的专利，公开号 CN 119100829 A，请求日期为2024年9月。

　　专利摘要显现，本发明归于资料制备技术领域。本发明供给了一种多孔碳化钽陶瓷及其制备办法与使用，所述的制备办法有将钽粉和/或碳化钽粉与钽盐及有机配体源在液相系统混合后经过快速降温构成固体，将所得固体进行抽真空烧结后再进行碳化，得到多孔碳化钽陶瓷。所述制备办法中有机配体源供给配体，使配体与钽构成金属有机框架结构，调理孔隙和散布，并进一步在高温下的分化或蒸发而完成造孔，终究制备得到的多孔碳化硅陶瓷中具有无序的微米级孔，使用于物理气相堆积法制备单晶碳化硅时，比较于传统的石墨资料，既能答应碳化硅发生的气态物质经过，又能耐高温，且强度高、不参加反响，不发生杂质进入晶体或构成碳包裹等缺点，有用完成过滤效果。