金融界2024年11月4日音讯，国家知识产权局信息数据显现，粤芯半导体技能股份有限公司请求一项名为“阻隔结构构成办法、半导体器材制备办法及半导体器材”的专利，公开号 CN 118888511 A，请求日期为2024年9月。

　　专利摘要显现，本请求公开了一种阻隔结构构成办法、半导体器材制备办法和半导体器材，触及半导体制备技能领域。该办法有：在晶圆的正面刻蚀中等深度阻隔沟道；经过炉管工艺在中等深度阻隔沟道中堆积多晶硅以及在晶圆的反面构成多晶硅膜层；铲除晶圆的反面的多晶硅膜层；经过炉管工艺在晶圆的正面和反面成长氮化硅膜层；在晶圆的正面刻蚀深沟阻隔沟道；在深沟阻隔沟道中成长氧化层。经过上述技能办法，处理了现存技能中晶圆外表的氮化硅膜层会呈现崩塌的问题，以进步半导体器材的功能和良率。

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