半导体存储器按照断电后数据是不是继续保存，可分为易失性存储器和非易失 性存储器。 易失性存储器主要为 RAM（随机存储器），分为 SRAM（静态随机存储器） 与 DRAM（动态随机存储器），SRAM 速度较快但成本比较高，市场规模较小，一 般用于主存和 CPU 之间的高速缓存；DRAM 速度略慢但成本较低，一般较 SRAM 容量更大，大范围的使用在电子设备的主存。 非易失性存储器可分为闪存（Flash）和只读存储器（ROM），ROM 是指数 据一旦被写入后难以更改，但可以多次读取的存储设备。闪存则是一种允许多次擦 写的存储器。闪存最重要的包含 NAND Flash 和 NOR Flash，NAND Flash 成本更 低，擦除和写入速度更快，NOR Flash 读取速度快但成本较高。

　　市场规模方面，存储芯片有可观的市场容量，但也具有周期性波动特征。据 Gartner 预测，2024 年全球 DRAM 市场规模将达 835 亿美元，NAND 市场规模 将达 678 亿美元，存储市场总规模同比增长 70.5%，实现周期反转，市场规模底 部回升。此前一轮的上行周期为 2019-2021 年，下行周期为 2021-2023 年。

　　由于不同存储器的特性差异，在智能设备中通常承担不同的功能： DRAM 是一种断电后无法保存数据的易失性存储器，主要利用电容内存储电 荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是 1 还是 0。由于实际晶体管中存在漏电 流现象，导致电容上存储的电荷数量并不足以正确判别数据，从而毁损数据，因此 DRAM 需要周期性充电，维持数据不丢失。DRAM 因具备需要定时刷新的特性， 也被称为“动态”存储器。

　　Flash 则是一种具有记忆功能的存储芯片。闪存的存储单元采用了三端器件， 分别为源极、漏极和栅极。其中，栅极与硅衬底之间有一层二氧化硅绝缘层，防止 浮置栅极中的电荷泄漏。这种结构使得闪存存储单元具有电荷保持能力，一旦注入 电荷，就会从始至终保持下去，直到被再次注入或释放，因此闪存具备记忆功能。

　　Flash 可按照位线架构不同，分为 NAND Flash 和 NOR Flash。NAND 和 NOR Flash 的存储单元工作原理相同，但排列方法不一样。 NAND 型 Flash 各存储单元之间是串联的，全部存储单元分为若干个块，每 个块又分为若干个页，每个页是 512 字节。这种串联结构决定了 NAND 没有办法进行 位读取，也就没办法实现存储单元的独立寻址，因此程序不可以直接在 NAND 中运 行。NAND 是以页为读取单位和写入单位，以块为擦除单位。基本存储单元的串 联结构减少了金属导线占用的面积，因此 NAND 的存储密度更高，适用于需要大 容量存储的应用场合。NAND 的写入采用 F-N 隧道效应方式，效率较高，适用于 频繁擦除/写入场合。 NOR Flash 的结构中每个存储单元是并联的，能轻松实现按位读取。这种并联 结构决定了其具有存储单元可独立寻址，因此适合储存代码，且程序能直接在 NOR 中运行。存储单元的并联结构还决定了金属导线占用很大的面积，因此 NOR Flash 的存储密度较低，无法适用于需要大容量存储的应用场合。NOR Flash 的写 入采用了热电子注入方式，效率较低，因此 NOR 写入速率较低，不适用于频繁擦 除/写入场合。

　　综上，由于以上特性，闪存通常用于长期保存数据，其中 NOR Flash 是低存 储容量、代码执行和高可靠性应用的绝佳选择；NAND 则适合高存储容量和频繁 写入/擦除操作的应用。而 DRAM 则因其读取速度快和断电后无法保存数据的特 点，大范围的应用于需要实时计算的场景。

　　利基型存储主要指相对于主流存储产品（DRAM 和 NAND）占据较小市场份 额的存储产品。这些产品通常有特定的应用需求，或是在特定的市场细分中有竞争 优势。当前应用较为广泛的品类主要包括利基型 DRAM、NOR Flash 和 SLC NAND Flash。

　　利基型 DRAM 包括 8Gb 以下，DDR4/LPDDR4 及以下代际产品。DRAM 根据内存技术及应用领域，主要划分为 DDR、LPDDR、GDDR 和 HBM 系列产品。 其中利基型 DRAM 品类主要集中于 DDR 和 LPDDR。DDR 系列产品历经 20 余 年，从 2000 年推出第一款产品 DDR1 到 2021 年推出 DDR5，产品迭代方向为 高存储密度，高传输速率和低功耗。目前主流 DRAM 产品下游应用为数据中心、 PC、手机和图形显示卡，而利基型产品为 DDR2 及以下产品、4Gb 以下的 DDR3、 8Gb 以下的 DDR4。LPDDR 由 DDR 产品演变而来，具备低功耗、小体积的特点， 可提供更窄的通道宽度和支持多种低功耗运行状态，主要应用于智能手机、平板电 脑、超轻薄型电脑、智能穿戴等领域。从 2009 年发布的第一代 LPDDR 发展至 2022 年最新发布的 LPDDR5X 产品，利基型 LPDDR 主要集中在 LPDDR4 及之 前代际的产品，适用于可穿戴/遥控设备等便携式产品。 终端客户多追求成本效益，或产品生命周期较长。利基型 DRAM 厂商下游客 户包含主控芯片厂商和模组厂商，终端应用涵盖消费电子、通信、物联网、工控、车规等广泛领域。当主流 DRAM 厂商推出新一代产品时，存储容量升级的同时售 价也会更高，而 TV、电子游戏机等消费电子终端产品面临消费者的价格压力，会 采用较为便宜但功能符合需求的材料，因此在 DRAM 的选择上不会倾向使用最新 一代的产品。对于工控和车规客户来说，一些产品的生命周期长达十年左右，长久 且稳定的 DRAM 供货是利基型厂商的制胜关键。

　　SLC NAND 存储密度最小，但使用寿命更长。根据每单元存储密度不同， NAND Flash 分为四种类型：SLC（1 bit/cell）、MLC（2 bit/cell）、TLC（3 bit/cell）、 QLC（4 bit/cell）。以 QLC 为例，每个单元电压有 16 种状态，对应 4bit 的信息。 从 SLC 到 QLC，虽然存储密度逐步上升，但由于对每个存储单元电压控制的复杂 性也指数级上升，使得编程速度和擦写寿命均逐渐下降。

　　终端应用多为可靠性要求高的领域，产品使用寿命通常较长。SLC NAND 可 用于存储许多应用程序的启动和中小型操作系统代码，目前主要应用于对可靠性 要求要高的相关领域。例如在工业自动化设备中，为保证高效生产，减少因更换闪 存组件而导致的停机中断，需要采用 SLC 这种内存操作快且功耗低的 NAND 类 型。又如 5G 基站，其部署环境复杂恶劣，且需要全天候工作，中小容量 SLC NAND 在性能稳定性上具有明显的优势。SLC NAND 的终端应用多对耐用性提出较高要 求，产品使用寿命通常较长。但是，其低数据密度使 SLC 成为最昂贵的 NAND 类 型，因此不常用于消费产品。

　　NOR 是一种非易失性存储芯片，与 NAND 同属于闪存芯片。根据数据传输 模式不同，NOR Flash 又可分为 SPI NOR 和 Parallel NOR。Parallel（并行，即 地址线和数据线直接和处理器相连）和 SPI（串行，即通过 SPI 接口和处理器相连） 两种数据传输模式的主要区别是，SPI 每次仅传输 1 bit 的数据，而 parallel 连接 的 NOR Flash 每次传输 8 或 16 bit 数据，因此，SPI NOR Flash 传输速度更慢， 但由于接口简单，且封装后体积更小的原因，价格较 Parallel NOR Flash 更低。 NOR 能够快速执行小型程序，性能比 NAND 更稳定，且小容量下更具成本 优势。NOR Flash 的一个重要特性是 XIP（芯片内执行），即应用程序可以直接在 Flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中。实际应用中往往只执行部分 代码，比如初始化 RAM。“即时启动”是 NOR Flash 下游需求的一个重要特性。 在需要执行代码的应用中，一种解决方案是将读取存储在 NAND 中的代码，然后 在 DRAM 中执行；NOR Flash 则允许代码在被读取后立即执行，因而能够快速响 应一些基本功能。此外，NOR Flash 在耐高温和保持代码一致性等方面比 NAND 更为可靠，在对稳定性要求较高的应用中仍是主流闪存选择。最后，小容量闪存中，NOR Flash 比 NAND 单价更低，更具成本优势。 NOR Flash 的应用范围很广，包括手机，PC，可穿戴电子设备，以及汽车、 安防、工控、基站、物联网设备等。由于其产品特性和汽车中很多应用场景十分契 合，例如中控显示屏和后视摄像头等对响应性的需求，以及汽车对零部件耐高温的 需求，NOR Flash 在车规闪存中仍处于主导地位。

　　存储芯片对供需敏感，价格呈强周期性。存储芯片标准化程度高，可替代性强， 具备大宗商品属性。存储芯片产品已经基本商品化，其价格受下游需求影响较为敏 感，行业景气度受供需关系影响较大，呈现出较强的周期性，其价格、库存也是整 个半导体行业景气度的风向标。当供需开始出现缺口时，存储价格走势企稳后出现 上涨。同时，成本会稳步下降，导致短缺期持续时间越长，存储芯片制造商的利润 就越高。当供应过剩开始后，存储价格会出现急剧下跌，直到价格与成本差不多相 等。当市场供应过剩时，价格与成本相当，并同步变动，直到下一次短缺开始。

　　标准型存储：数据中心需求推动原厂营收增长。受下游库存高企，以及 2023 年以来需求疲软带来的影响，标准型存储产品销量和价格在 2023 年上半年经历了 持续下跌，给存储厂商业绩带来负面影响。随着各存储厂商减产带来的供给减少， 以及终端需求复苏带来的需求增长，下游库存水位逐渐回归正常，NAND 和 DRAM 价格自 2023 年 8 月逐渐回升。受益于此，存储原厂业绩开始逆转。以美 光为例，公司 FY24 实现营收 251.11 亿美元，FY3Q23-FY4Q24 连续六个季度实 现收入环比增长。

　　4Q24 涨价趋势收敛，但 DDR5/HBM 仍供应紧张。据 TrendForce 预测， 4Q24 传统 DRAM 合约价季涨幅均将收敛至 0~5%，NAND 更是开始出现价格环 跌。但 HBM 仍可保持 8-13%涨势。PC、服务器和移动端下游库存去化尚未完成； 图形显卡订单略有增加，消费方面整体需求仍显疲弱，仅 WiFi 7 订单有小幅上涨。

　　利基型存储：产能挤压下多家海外原厂宣布退出 DDR3 市场。DDR3 由于在 技术、性能上逐渐落伍，基本已不在 PC、服务器上使用，但其功耗、价格低，WiFi 路由器、交换机等嵌入式领域仍有应用。不过因其毛利率较低，在产能供应吃紧的情况下，原厂将更多资源倾斜到 DDR5 及 HBM，逐步退出 DDR3 市场。据台 媒《经济日报》报道，三星已向客户通知 2Q24 末停产 DDR3；SK 海力士更早在 2023 年底将大陆无锡厂的 DDR3 制程转为 DDR4；美光虽然仍未对 DDR3 内存 实施停产，但也大幅缩减了供应量。 伴随着原厂控产，DDR3 现货价自 2023 年 Q3 起逐步触底，并随后开启小幅 涨价反弹，至 2024 年 5 月中旬涨幅约 10%左右。24Q2 起海外大厂计划退出 DDR3 的消息传出，带动 DDR3 报价上扬，24Q2 最高涨幅达 2 成。中长期来看， 由于原厂供给开出有限，DDR3 涨价有充分支撑。

　　供给：行业缓慢回暖，龙头厂商保持低资本开支水平。就台系利基型存储厂商 近期经营数据来看，目前营收已逐步底部回暖，毛利率虽有所恢复，但依旧处于历 史较低水位，其中南亚科在近两个季度刚实现毛利率转正。库存方面，考虑到营收 底部回升幅度较小，三家台厂库存水位均仍处于高位。不过资本开支方面，2024 年以来三大厂商均保持较低水平。观察三家龙头厂商的各项数据，我们认为利基型 存储行业当前处于周期底部回升的早期，行业复苏方兴未艾。

　　需求：AI 赋能终端应用创造增量空间，消费复苏提供存量支撑。AI 持续渗透 下，利基型存储市场亦存在增长机会。因计算密集型应用赋能终端设备，带动存储 需求量上升，还为车规、工控、消费电子等下游广泛领域中开拓出新的应用场景， 提供增量市场。此外，需求端消费复苏，存量市场设备更新换代，也是利基型成长 逻辑。我们将在第三章详细讨论利基型存储各细分品类的需求端成长逻辑。

　　复盘历轮 Nor Flash 行业周期（由于缺乏 NOR Flash 长周期价格数据，我们 以旺宏、华邦毛利率作为参考），自 2008 年以来，Nor Flash 经历三轮明显周期， 华邦及旺宏毛利率波动较为明显。

　　第一轮周期（2008-2015 年）：智能手机兴起导致 NOR 萎靡，行业洗牌之际 厂商布局新市场。早期的功能性手机对存储空间要求不高，广泛采用 NOR Flash 作为存储方案。随着智能手机渗透率不断提升，NOR Flash 的市场占有率开始被 NAND 取代。NOR Flash 市场在 2006 年达到 80 亿美元营收的顶点后，开始进 入下降通道。市场空间萎缩导致一线 年行业龙头 Spansion 在日本的分公司宣布破产，2010 年三星宣布退出 NOR 业务，另一行业巨头 Numonyx 也被美光收购。华邦、旺宏等台系厂商趁势崛起，行业现状促使各厂商 寻找新的增长点。 第二轮周期（2016-2019 年）：AMOLED 面板渗透率增长和头部厂商退出带 来供需错配。2016 年 Q4，美光淘汰中低容量 NOR Flash 产能，仅保留部分高容 量产能。2017 年，行业龙头 Cypress 宣布出售 NOR Flash 晶圆厂。两家市占率 合计超过 40%的厂商相继退出造成行业供给紧张。需求方面，AMOLED 面板在智 能手机渗透率提升，需要外挂一颗 NOR Flash 补偿面板的电流和亮度，是 NOR Flash 需求的主要增长动力。此外，TDDI 芯片和其它传统物联网应用进一步拉高 了 NOR Flash 的需求。头部厂商的退出叠加新需求快速增长，造成市场严重失衡。 2017 年 Q3，NOR Flash 价格环比上涨 20%，据华邦估计，2017 年 NOR Flash 市场的供需缺口达 20%。但 2018 年 H2 开始，市场开始出现供给过剩，智能型 手机和其它消费电子出现景气循环高峰后的下行趋势，2019 年 H1 价格显著下跌。 第三轮周期（2019-2023 年）：TWS 耳机和 AMOLED 面板推动 NOR Flash 增长。2019 年，苹果接连推出 Airpods 2 和 Airpods Pro，每只耳机都包含一个 NOR Flash 128MB 芯片。2020 年，苹果宣布从 iPhone 12 系列起不再附赠耳 机，刺激 Airpods 需求，TWS 耳机成为 NOR Flash 主要需求来源。此外，2021年智能手机需求复苏，搭载的 AMOLED 面板渗透率也进一步提升，带动 NOR Flash 价格逐季上涨。涨价势头持续到 2022 年中，从 2022 年下半年开始，TWS 耳机和智能手机需求放缓，加上供给方面中国大陆厂商大幅进入市场，造成 NOR Flash 供大于求，库存水平处于高位，价格持续下跌。

　　当下供需现状来看，NOR Flash 价格底部明确：需求方面，生成式 AI 浪潮带 动算力需求增加的同时，也有望拉动 NOR Flash 需求。如 GPU 的增加将带动终 端设备增长 40-60 颗 NOR Flash，其搭配的网卡等周边设备也将采用 NOR Flash 存储。此 AI PC 也需要额外的 NOR Flash 资源，PC 中 Nor Flash 主要用于 BIOS 固件存储，有望受益 AI PC 带动换机潮，其中 NOR Flash 容量也往 128Mb 以及 256Mb 推进。此外，随着汽车智能化的提升，造成边缘设备运算复杂度上升，NOR 产品主要用于信息娱乐系统、高级驾驶员辅助系统(ADAS)和仪表板仪表组，受益 汽车智能化趋势。 供给方面，华邦、旺宏、兆易创新等头部厂商经过 2023 年全年去库，目前库 存水位已明显下降，稼动率维持较高水位。且上游晶圆代工厂受 CIS 挤压，稼动率 也基本维持满载水平，供给开出有限。

　　全球利基型存储市场空间广阔，国产替代大有可为。利基型存储的三大主要品 类为例，NOR Flash 方面，据 Mordor Intelligence 预测，2024 年全球市场规模 26.9 亿美元，并预计 2029 年增长至 36 亿美元；SLC NAND 方面，据 Valuates Reports 预测，2024 年全球市场规模为 23 亿美元；利基型 DRAM 方面，据 WiseGuy Reports 预测，2024 年全球市场规模约为 95.7 亿美元。如前文所述， 2024 年全球存储市场总规模约 1500 亿美元，利基型存储占存储总市场约 10%。 国内诸多厂商亦进行了广泛的产品线布局。SRAM、利基型 DRAM、SLC NAND、NOR Flash、EEPROM 等品类均有国产存储厂商切入，在各自市场铺开 产品线。

　　近年来利基型 DRAM 下游增量主要来自车规和消费电子。前文我们提到，利 基型 DRAM 的下游应用主要为消费电子、工控和车规等，对应下表中“消费电子” 和“其它”两个部门。两个部门容量需求稳定占据全球 DRAM 市场 10%左右。从 容量需求上看，近年来利基型 DRAM 下游增量主要来自于车规和消费电子，2021 年同比增长分别为 46%和 22%。

　　美光的利基型产品线品类最全。利基型 DRAM 市场主要参与者为三大原厂、 台系厂商和大陆厂商。截至 24H2，三大原厂仍有少量利基型产品标记为量产状态， 对于 DDR4 以下的利基型产品，三星和 SK 海力士仅提供 4Gb DDR3，而美光提 供的型号和规格相对齐全。台厂方面，南亚的产品线更侧重标准型，不仅提供大容 量 DDR4 且有 DDR5 产品研发中；华邦则相对专注利基型，有较旧规格型号在售。 大陆厂商中北京君正（ISSI）的产品线最为齐全；兆易创新和东芯股份也有 DDR3/4 在售。

　　利基型制程落后主流 1-2 代际，大厂关注度不高。存储芯片追求更高的集成 度和存储密度，其制造工艺注重存储密度和数据稳定性。DRAM 芯片的主体部分 由密集而重复的记忆体单元构成，DRAM 厂商的竞争目标为在芯片面积和成本足 够小的前提下，尽可能提供更高容量和速度以及更低功耗的产品，因此制程迭代成 为各厂商竞争焦点所在。2019 年开始 1X nm 制程成为主流。随着 1X nm 制程导 入量产，制程微缩技术进度明显减缓，推进难度越来越高。利基型 DRAM 制程工 艺一般落后标准型 DRAM 1-2 个代际，目前大多采用 2Xnm 工艺。主流存储厂商 在制程工艺取得进展，产品量产之际，会将产能大规模转移至单价较高的产品，利 基型 DRAM 市场吸引力相对降低，资源投入和关注度不足，是利基型 DRAM 制 程迭代缓慢的原因之一。

　　制程迭代有利于利基型厂商降低生产成本，客制化助力拓展应用领域。前文提 到利基型 DRAM 下游客户多为价格敏感型，应用领域广阔，我们认为制程迭代和 客制化分别是针对以上特点形成的竞争策略。标准型 DRAM 厂商遵循成本领导战 略，持续投入资本支出开发新制程，追求低单位成本和新规格产品，在市场取得竞争优势，这个策略同样适用于利基型厂商。目前台厂南亚和华邦均已实现 20nm 制程量产，并推进 1Xnm 制程研发；中国大陆厂商北京君正也已实现 25nm 制程 量产，正在开展下一代制程研发。利基型厂商研发新制程生产较旧规格的产品，能 够降低单位成本，提升产品性能，同时可以满足终端产品对存储升级换代的需求。 利基型厂商还积极拓展下游应用领域，然而不同领域的终端产品，生命周期和性能 要求各不相同，有的厂商采取差异化竞争策略，为客户提供客制化产品，提供长生 命周期和性能上的保证。

　　需求方面，近年来 AI、5G 和 IoT 技术不断革新，为利基型 DRAM 带来广阔 增量需求空间。如边缘 AI 计算和低延迟需求对终端设备的存储容量提出更高要求， 推动利基型 DRAM 加速渗透。在 5G 基站方面，小型及大型基地台可采用 4Gb DDR3 或 DDR4，终端设备的 AI 加速器则可采用 4Gb 或 8Gb LPDDR4，此外 5G CPE 也可采用 2Gb 或 4Gb LPDDR4/4X。

　　供给方面，主流存储厂商因 AI 需求高企，将产能转移至 HBM 和 DDR5，逐 渐缩减 DDR3 和 DDR4 产能。SK 海力士于 2023 年底停止供应 DDR3，2024 年 Q1，三星亦通知客户于 24Q2 停产 DDR3，两家存储巨头可能在 2024 年 H2 停 产 DDR3。随着数据中心和 HPC 对标准型 DRAM 容量和带宽提出更高需求，叠 加 AI 手机、AI PC 概念发酵，主流存储厂商将产能大规模转移至 HBM 和 DDR5 等高性能产品，DDR4 及 DDR3 库存水位相对下降。

　　据 DRAMexchange 数据，截至 10 月，用于数据中心、手机等高端市场的 DDR5 价格较前低有显著涨幅，而利基型 DRAM 如 DDR4 4Gb，DDR4 8Gb 价 格涨幅不大。未来伴随供需格局逐渐改善，有望看到利基型 DRAM 价格修复。

　　SLC NAND Flash 主流制程工艺仍是 2x-3xnm。近两年来，主要 SLC NAND Flash 厂商在 2xnm 制程工艺节点的产品开始逐步上市销售，预计在未来将陆续取 代 38nm-40nm 工艺节点产品。部分 SLC NAND 厂商正在研发 1xnm 节点的制 程工艺，但大规模量产还需要时间。目前 SLC NAND Flash 芯片的升级方向为低 成本功耗、高数据读取速度和可靠性等。

　　3.2.2 传统网通工控设备升级，AI 终端渗透提升存储量需求，SLC 大 容量成本优势显著

　　传统应用：网通、工控设备升级换代支撑市场需求。前文提到，SLC NAND 因 其高耐久、高可靠的产品特性，在工控、网通等稳定性要求较高的领域有广泛应用。 例如 KIOXIA 的 SLC NAND 导入工厂自动化设备，成为稳定需求来源。国内厂商 东芯股份的产品则在通讯领域有广泛应用，包括宏基站、微基站以及家用网通产品 （光猫、WiFi6 和随身 Mifi 等）。在传统通讯领域，随着 5G、WiFi 等技术的应用 和升级，类似 PON、路由器、机顶盒等通讯设备同步在升级换代，对 SLC NAND 的市场需求形成支撑。IoT Business News 预测 WiFi 7 将在 2024 年加速渗透， 或将为 SLC NAND 在传统领域的应用提供增长动能。

　　AI 推动终端设备代码存储量上升，SLC 相较 NOR 在大容量下有成本优势。 随着 AI 在终端设备的普及，叠加物联网发展，越来越多的计算密集型功能（例如 实时视频/音频处理、设备间通信等）开始集成在终端设备中，这些设备需要更多 的空间储存可执行代码。目前，主流的代码存储芯片方案包括NOR Flash和NAND， 如前文提到，NOR Flash 读取速度更快，而 NAND 单位容量成本更低。代码量不 大时，NOR Flash 因其读取更快，能够提供更快的系统响应速度，是代码存储的 主流选择。然而当代码量来到 Gb 级，NOR Flash 成本显著上升（256Mb NOR 售价 4 美金；1Gb NAND 售价 1 美金），又因很多终端设备对响应速度要求不高， NAND 开始逐渐取代 NOR，成为代码存储芯片的新兴选择。SLC NAND 开始在 消费电子（TV、电子游戏机、可穿戴设备）、车规、安防和医学影像设备等领域打 开新的增量空间。

　　SLC NAND 国产替代加速。以三星为代表的存储原厂逐步退出 SLC NAND 市场，将产能分配至 3D NAND 等产品，国内厂商有望承接国际大厂退出的份额。 我们认为，SLC NAND 市场格局有望向 NOR Flash 市场趋同，东芯股份、兆易创 新、北京君正等大陆厂商均有较广阔发展空间。

　　台厂侧重工业、汽车市场，兆易创新跃居全球第二。如前所述，NOR Flash 全球市场空间超过 20 亿美元，业内主要厂商包括中国台湾的华邦、旺宏，和大陆龙 头厂商兆易创新。根据 IC Insights 的数据，2021 年全球 NOR Flash 市场华邦、 旺宏和兆易创新市占率分别为 35%、33%和 23%。而据 Web-Feet Research 数 据，2023 年兆易创新 NOR Flash 市占率升至全球第二。

　　汽车智能化助推 NOR Flash 芯片需求向上。早年汽车中用到存储芯片的地方 不多，彼时 NOR Flash 多用于车载收音机。在过去十年中，电子显示屏在汽车中 控台渗透率提高，叠加新能源汽车引领了汽车智能化浪潮，智能汽车中数据采集、 实时分析和智能化回应等流程皆需要集成电路系统参与，车用电子催生 NOR Flash 需求。过去收音机需要的 NOR Flash 容量为 1Mb，而中控台则因其图形 显示需求，需要 12Mb-1Gb。读取速度快和高温耐受性是 NOR Flash 在车规应 用普及的原因，并且由于车规系统的稳定性，极少进行写入和擦除操作，NOR Flash 成为汽车电子领域的极佳存储芯片，智能汽车渗透率不断提高将助推 NOR Flash 芯片需求提升。 AR/VR 是 NOR Flash 另一大增量市场。AR/VR 对计算要求相当高，相当于 一台小型 PC 机，性能较高的 AR/VR 设备通常需要配置一个容量为 64Mb-128Mb 的 NOR Flash，用于存放 AR/VR 的启动系统代码。例如，VR 设备 Oculus Rift CV1 在头显主板中就配有华邦的 64Mb NOR Flash，AR 设备 Magic Leap One 主机 Lightpack 中则配有 Cypress 的 128Mb 产品。 生成式 AI 浪潮也有望拉动 NOR Flash 需求。服务器方面，GPU、网卡等设 备带来 NOR Flash 需求增量。PC 方面，AI PC 也需要额外的 NOR Flash 资源， PC 中 Nor Flash 主要用于 BIOS 固件存储，受益于 AI PC 带动换机潮 128Mb 以 及 256Mb Nor Flash 需求增长。

　　NOR Flash 产品升级路线为向更高容量及更先进制程稳步发展。制程方面， 存储芯片的工艺制程技术水平越高，存储单元面积越小，存储芯片面积越小，同样 尺寸下的晶圆所生产的芯片数量越多，因此能够有效的降低芯片的单位成本，提升 产品的竞争优势。容量方面，中低容量 NOR Flash 产品技术门槛低，厂商较多， 市场竞争激烈，毛利微薄，大容量 NOR Flash 技术壁垒高，毛利率更高。 容量提升：以兆易创新为例，大容量新品助推毛利率提升。以国内龙头兆易创 新为例，2016-2020 年间陆续推出 512Mb、1Gb、2Gb 产品，公司向高端大容 量 NOR Flash 产品发展的节奏稳定且快速。我们认为高端大容量 NOR Flash 产 品使得兆易创新存储芯片毛利率实现快速稳定的提升，2017 年兆易创新存储芯片 毛利率为 37.61%，同比增加 13.41pct，且 2017-2022 年公司存储芯片毛利率均 保持在 35.00%以上。

　　工艺迭代：SONOS、NORD 等新工艺迭出，更具成本优势。ETOX 为市场主 流工艺结构，兆易创新、华邦、旺宏等厂商的 NOR Flash 产品皆立足于 ETOX 工 艺；除 ETOX 工艺外，2016 年普冉股份与赛普拉斯签署 SONOS 技术授权协议， 目前普冉主要 NOR Flash 产品为 SONOS 工艺结构。 此外，华虹发明的 NORD Flash 器件制作工艺，目前也开始于国产厂商中使 用。2024 年 5 月，聚辰股份宣布基于第二代 NORD 先进工艺平台成功推出业界 最小尺寸的 NOR Flash 低容量系列芯片，芯片尺寸相较于第一代可减少约 1/3， 且不会减损芯片的性能，能够满足诸如 WIFI 模块、BLE/BLT 蓝牙模块、可穿戴 设备、 IoT 设备等终端产品的设计需求，适应电子设备对 NOR Flash 产品节能高 效、小型化、轻量化的要求。 ETOX 结构是浮栅型存储器的典型代表，浮栅型 NAND 闪存存储器首次被提 出是在 1967 年，与场效应管的结构类似，但 NAND 浮栅存储器是双栅结构，在 控制栅和衬底之间加了一层多晶硅浮置栅极，用来存储电荷。其中，控制栅极是一 层多晶硅材料，浮栅的材料也大多为多晶硅材料，它由电荷隧穿层和电荷阻挡层与 衬底和控制栅隔离，电荷阻挡层是一层氧化物或一层 ONO(二氧化硅-氮化硅-二 氧化硅)结构，电荷隧穿层也是一层氧化物。浮栅型 NAND 闪存存储器就是通过外 加电场时，向中间层的浮栅注入或不注入电子来实现信息存储功能的，即使在不加 外电场的情况下，长时间放置器件，电荷也会保留在浮栅中，不会发生明显流失， 所以该结构具有非易失性。 SONOS 结构是一种电荷俘获型存储器的典型结构。以 SONOS 结构为代表 的电荷俘获型存储器也能实现信息的存储。电荷俘获型存储器的单元结构同浮栅 型存储器的单元结构类似，其中，栅极材料是多晶硅材料，电荷阻挡层是一层氧化 物，电荷俘获层是氮化硅材料，电荷隧穿层是一层氧化物或一层 ONO(二氧化硅氮化硅-二氧化硅)结构。与浮栅型存储器不同，该结构是利用电荷俘获层材料本身 的深能级缺陷来俘获电子实现信息存储功能的。

　　NORD 工艺提升了小尺寸 NOR Flash 芯片性能效果。NORD Flash 器件包 括衬底、字线多晶硅、浮栅、控制栅；浮栅的底部设置在衬底中，第一浮栅和第二 浮栅的底部与衬底之间分别设置有耦合氧化层，第一浮栅和第二浮栅的顶部高于 衬底表面；浮栅上方依次设置有极间介质层、控制栅、字线侧墙；字线多晶硅的底 部位于第一浮栅和第二浮栅之间；字线多晶硅与衬底、浮栅、极间介质层、控制栅、 字线侧墙之间设置有隧穿氧化层；隧穿氧化层的外侧还设置有第一介质层和第二 介质层；解决了小尺寸 NORD Flash 器件的性能参数难以满足器件需求的问题； 达到了提升小尺寸 NORD Flash 器件的性能效果。

　　SONOS 专精小容量产品，ETOX 结构在大容量有显著成本优势，而 NORD 工艺兼具低成本+大容量优势。与 ETOX 工艺相比，SONOS 工艺有效减少了光罩数量，降低了芯片尺寸，减少芯片制造成本。同时，SONOS 工艺结构下产品操作 电压更低，因此产品功耗更低，使其性能在市场竞争中占优。但 SONOS 结构中 存储单元是一个双管单元，而 ETOX 结构的存储单元是单管单元。在中小容量领 域，采用 SONOS 工艺结构能够简化外围控制电路，大幅度降低芯片的尺寸和面 积。但在大容量存储领域，存储器芯片面积大小成为决定芯片面积的主要因素， ETOX 结构的单管单元使其存储器芯片面积远小于 SONOS 结构，具备显著的成 本优势，因此 ETOX 结构仍是大容量 NOR Flash 领域的主流工艺。 聚辰股份基于 NORD 工艺平台推出业界最小尺寸 NOR Flash 芯片。NORD 工艺结构下生产的 NOR Flash 产品在具备 ETOX 工艺高可靠性和宽温度适应能力 的同时，在芯片尺寸和成本方面较 SONOS 工艺更具优势。

　　兆易创新为 NOR Flash 国内龙头，全球市占排名第二。公司存储芯片 业务包括 SPI NOR、SLC NAND 和 DRAM。 NOR 方面公司在国内市场保持领先，2Mb-2Gb 容量齐全。据 Web-Feet Research 报告显示，公司 2023 年 Serial NOR Flash 市占率排名提升至全球第二 位。公司推出国内首款 2Gb 和首款国产超高速 8 通道的高性能 SPI NOR Flash 产 品系列，分别适用于物联网设备代码存储应用和 5G 基站、汽车、工业等领域。 NAND 方面，24nm 为主要工艺制程，容量覆盖 1Gb~8Gb，其中 SPI NAND Flash 在消费电子、工业、汽车电子等领域实现了全品类的产品覆盖。在 DRAM 产品，公司 DDR4、DDR3L 产品，在网络通信、电视、机顶盒、工业、智慧家 庭 等领域广泛应用。公司产品下游应用领域包括工业、汽车、消费电子（如可穿戴产 品、智能手表、TWS 耳机、家用电器等）、网络通讯（如无线路由器、基站、光模 块等）、PC 及周边、物联网、移动设备（如摄像头模块、AMOLED、触摸控制器、 指纹传感等各种移动应用）等。

　　2023 年公司实现营收 57.61 亿元，同比下滑 29.14%；实现归母净利润 1.61 亿元，同比下滑 92.15%。2024 年前三季度，公司实现营收 56.5 亿元，同比增长 28.56%；实现归母净利润 2.05 亿元，同比增长 91.87%。

　　国内主要 NOR Flash 存储器芯片供应商，车规市场持续渗透。普冉股份是 NOR Flash 主要供应商，据 Web-Feet Research 报告显示，在 2022 年 NOR Flash 市场销售额排名中，公司位列全球第六。公司存储芯片业务包括 NOR Flash 产品和 EEPROM 两大品类，其中 NOR Flash 产品应用于低功耗蓝牙模块、TWS 蓝牙耳机、手机触控和指纹、TDDI（触屏）、AMOLED（有源矩阵有机发光 二极 体面板）、可穿戴设备、车载导航和安全芯片等领域；EEPROM 产品应用于于摄像 头模组（含手机、笔电和新能源车及传统汽车、3-D）、智能仪表、工业控制、汽 车电子、网络通信、家电等领域。公司“存储+”业务最重要的包含 MCU 产品和 VCM 模拟芯片。存储产品客户包括 OPPO、vivo、荣耀、小米、联想、美的等国内企业， 同时覆盖三星、松下、惠普、希捷 等海外终端客户，并与 Dialog Semiconductor （DLG）等主控原厂建立了稳定的合作关系。

　　23 年全年公司实现营收 11.27 亿元，同比增长 21.87%；实现归母净利润0.48 亿元，同比下滑 158.06%。2024 年前三季度实现营收 13.66 亿元，同比增 长 78.13%；实现归母净利润 2.25 亿元，同比增长 321.26%。公司 40nm 制程 4Mb-128Mb 均已实现量产，行业领先。公司还加速车规市场渗透，中小容量 NOR车轨产品已陆续完成 AEC-Q100 认证，主要使用在于部分品牌车型的前装车载导航、 中控娱乐等，NOR Flash 市占率有望继续提升。

　　存储芯片主要面向汽车、工业、医疗等行业市场及高端消费类市场。北京君正 的存储芯片产品分为 SRAM、DRAM 和 Flash 等类别，主要面向汽车、工业、医 疗等行业市场及高端消费类市场。DRAM 产品包括 SDR、DDR1、DDR2、LPDDR2、 DDR3 到 DDR4、LPDDR4 等，能够满足工业、医疗、主干通讯和车规等级产品 的要求。公司 Flash 产品线包括了目前全球主流的 NOR Flash 存储芯片和部分 NAND Flash 存储芯片。汽车市场是是公司存储芯片最大的应用市场，下游客户 覆盖全球大部分知名 Tier 1 厂商及穿透后包括新能源车、燃油车、造车新势力等在内的大部分终端品牌车厂。同时，在工业、医疗等市场，公司存储芯片也有广泛 的应用。

　　2023 年，公司实现营收 45.31 亿元，同比下滑 16.28%；实现归母净利润 5.37 亿元，同比下滑 31.93%。2024 年前三季度，实现营收 32.01 亿元，同比下滑 6.39%。针对利基型市场对 DRAM 产品的需求趋势，公司展开了下一代工艺的 DRAM 技术与产品研发，新一代工艺可支持公司开发更大容量的 DRAM 产品，以 满足汽车智能化不断发展带来的对更高容量 DRAM 产品的需求。

　　分业务收入预测： 存储芯片业务：从公司的营收结构上来看，该业务占比较大，产品品类较全。 SRAM 市场需求稳定，且毛利率较好，预计未来营收规模将保持稳定；公司 DRAM 业务在全球工业和汽车市场已有一定市占，但相比整个市场空间体量仍较小，且公 司不断推进制程迭代，未来有望进入新的成长期；Flash 业务方面，公司目前制程 工艺为业界主流，24H1 行业处于下行周期该业务收入下滑，但如前文所述，行业 周期迎来回暖，2025 年有望重回增长轨道。我们预计存储芯片业务 2024-2026年营收同比增长率分别为-5.0%/15.0%/15.0%。随着下游需求温和复苏，叠加公 司制程工艺不断迭代，存储芯片业务线毛利率或将温和增长。我们预计该业务 2024-2026 年毛利率分别为 35.5%/36.0%/36.5%。 模拟互联业务：。模拟与互联芯片是公司最新的产品线，自车规 LED 驱动芯片 量产销售后成长性一直很好，近年来单车 LED 驱动芯片的用量持续增长，市场成 长空间较大，且公司持续投入研发，优化产品组合，将为未来业绩增量提供动能。 我 们 预 计 模 拟 互 联 业 务 将 会 在 2024-2026 年 营 同 比 增 长 率 分 别 为 25.0%/30.0%/30.0%。公司持续优化产品组合，有望获得较高毛利率。我们预计 该业务 2024-2026 年毛利率分别为 52.0%/53.0%/54.0%。 计算类芯片业务：公司的计算类芯片是平台型产品，应用领域广泛，在安防监 控市场已经成为重要供应商。公司正在布局泛视频领域，比如工业级和一些用到摄 像头但非监控类的领域中，未来也会向汽车市场扩展，将带来更多新的成长空间。 预 计 计 算 类 芯 片 业 务 将 会 在 2024-2026 年 营 收 同 比 增 长 率 分 别 为 10.0%/15.0%/15.0%。毛利率方面，24H1 该业务毛利率达 32.6%，我们预计该 业务 2024-2026 年毛利率将保持稳定，分别为 33.0%/33.0%/33.0%。

　　期间费用率假设： 销售费用：公司过去销售费用相对稳定，2023 年因营收下滑，导致销售费用 率提升，但预计随着营收持续增长，公司销售费用率有望稳定下降，并逐步回到 2021-2022 年的正常水平，我们预计 2024-2026 年销售费用率 6.8%/6.5%/6.0%； 管理费用：24H1 收入下滑导致管理费用率有所增长，预计伴随营收回归增长， 管 理 费 用 率 逐 步 摊 薄 ， 我 们 预 计 2024-2026 年 管 理 费 用 率 分 别 为 5.3%/5.0%/4.7%； 研发费用：公司部分业务线处于增量市场开拓期，且公司不断迭代制程，优化 产品组合，研发费用绝对值将持续增长，但随着营收规模扩大，研发费用率缓慢下 降，我们预计 2024-2026 年研发费用率分别为 16.0%/15.5%/15.0%； 财务费用：结合公司的账上现金和负债，计算利息收入和支出，我们预计2024- 2026 年财务费用率分别为-2.0%/-1.8%/-1.6%。

　　覆盖利基全品类，布局 Wi-Fi 7 无线通信芯片。东芯股份能够同时提供 NAND、 NOR Flash、DRAM 等存储芯片完整解决方案。NAND 方面，聚焦平面型 SLC NAND Flash 的设计与研发，容量覆盖 512Mb-32Gb，主要使用在于 5G 通讯、企 业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手环等终端产品，产 品已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可。NOR Flash 方面，为 ETOX 工艺的 SPI NOR Flash，存储容量覆盖 64Mb 至 1Gb，普遍应用 于可穿戴设备、移动终端等领域。DRAM 方面，产品品类包括 DDR3(L)和 LPDDR1/2/4X 系列，适用于于智能终端、可穿戴设备等产品。MCP 集成了公司 自主研发的 SLC NAND 闪存芯片和 DRAM 芯片，共同实现存储和数据处理功能， 应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。

　　2023 年公司实现盈利收入 5.31 亿元，同比下滑 53.7%；实现归母净利润-3.06 亿 元，同比下滑 265.13%。2024 年前三季度实现营收 4.47 亿元，同比增长 20.44%， 实现归母净利润-1.30 亿元。 2024 年 2 月 7 日，公司出资设立控股子公司“上海亿芯通感技术有限公司”， 从事 Wi-Fi 7 无线通信芯片的研发、设计与销售，进一步丰富公司产品品类，以存 储为核心，向“存、算、联”一体化领域进行技术探索。

　　存储芯片主供 NOR Flash，持续加大研发投入。恒烁股份能够提供从 1Mb 到 512Mb 的 NOR Flash 产品系列，中大容量产品实现 5X nm 全覆盖。采用新 制程的小容量产品线 年量产，预计将在传统蓝牙合封等应用领域为公司带 来显著的业绩增长；中容量产品将在电子烟、OLED 显示技术、智能手机等关键市 场领域占据更大的市场占有率；大容量产品线则积极布局 ADAS 自动驾驶、5G 蜂窝 通信、AI 服务器等前沿市场。公司积极开发新市场，在工业 PC，工业显示，扫地 机，户外安防等领域已实现销售量产，预期将为未来业绩贡献增量。

　　23 年全年公司实现营收 3.06 亿元，同比下降 29.41%；实现归母净利润-1.73 亿元，同比下滑 914.12%。2024 年前三季度实现盈利收入 2.64 亿元，同比增长 20.95%； 实现归母净利润-1.05 亿元。公司在 NOR Flash 技术的基础上，不断加大技术研 发投入，在 MCU 领域逐步稳定，并在存算一体 AI 芯片这一新兴领域稳步积累经 验。2023 年公司研发投入占比达 32.85%。

　　（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

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