氮化硅硬度大、熔点高、不溶于酸（氢氟酸在外），是一种重要的结构陶瓷资料．一种用工业硅（含少数钾、钠、铁、铜的氧化物），已知硅的熔点是1420℃，高温下氧气及水蒸气能显着腐蚀氮化硅．一种组成氮化硅的工艺首要流程如下：

　　（s）△H=-727.5kJ/mol，开始时为何需求严控氮气的流速以操控温度：______；系统中要通入适量的氢气是为了______．

　　（3）X或许是______（选填：“盐酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氢氟酸”）．

　　）作氮源，直接焚烧生成氮化硅（产生置换反响），该反响的化学方程式为：______．

　　解：（1）Cu能与氧气反响，则Cu屑的作用为除掉质料气中的氧气；硅胶具有吸水性，可除掉生成的水蒸气，故答案为：除掉质料气中的氧气；除掉生成的水蒸气；

　　（s）△H=-727.5kJ/mol，该反响为放热反响，开始时严控氮气的流速以操控温度是避免部分过热，导致硅熔化熔组成团，阻止与N

　　的触摸；系统中要通入适量的氢气是为将系统中的氧气转化为水蒸气，而易被除掉（或整个系统中空气排尽），

　　故答案为：该反响为放热反响，避免部分过热，导致硅熔化熔组成团，阻止与N

　　（3）氮化硅能与HF酸反响，盐酸、稀硫酸均不与Cu反响，氮化硅中混有铜粉，为除掉混有的Cu，可选择硝酸，Cu与硝酸反响，而氮化硅与硝酸不反响，故答案为：硝酸；

　　（4）氮化硅不溶于水、不溶于酸（HF酸在外），若氮化硅产品用水洗洁净，则洗刷后的滤出液呈中性，故答案为：洗刷后的滤出液呈中性；

　　）作氮源，直接焚烧生成氮化硅，产生置换反响，还生成Na，该反响为9Si+4NaN

　　剖析：（1）Cu能与氧气反响，硅胶具有吸水性；（2）操控氮气的流速是避免温度过高，系统中要通入适量的氢气可将氧气转化为水蒸气；（3）氮化硅能与HF酸反响，盐酸、稀硫酸均不与Cu反响，氮化硅中混有铜粉；（4）使用水洗后溶液的酸碱性剖析；（5）使用反响物与生成物来书写化学反响方程式．

　　（1）制备硅半导体资料有必要先得到高纯硅．三氯甲硅烷（SiHCl3）复原法是当时制备高纯硅的首要办法，出产的悉数进程示意图如下：

　　②整个制备进程有必要严控无水无氧．SiHCl3遇水剧烈反响生成H2SiO3、HCl和另一种物质，写出配平的化学反响方程式3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl；H2复原SiHCl3进程中若混O2，或许会导致的结果是高温下，H2遇O2产生爆炸高温下，H2遇O2产生爆炸．

　　（3）硅酸钠水溶液俗称水玻璃．取少数硅酸钠溶液于试管中，逐滴参加饱满氯化铵溶液，振动．写出试验现象并给予解说生成白色絮状沉积，又刺激性气味的气体生成，SiO32-与NH4+产生双水解反响，SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3↓生成白色絮状沉积，又刺激性气味的气体生成，SiO32-与NH4+产生双水解反响，SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3↓．

　　（2）在氮化炉中3SiO2（s）+2N2（g）=Si3N4（s）△H=-727.5kJ/mol，开始时为何需求严控氮气的流速以操控温度：；系统中要通入适量的氢气是为了．

　　（5）用硅粉作硅源、叠氮化钠（NaN3）作氮源，直接焚烧生成氮化硅（产生置换反响），该反响的化学方程式为：．

　　（1）制备硅半导体资料有必要先得到高纯硅。三氯甲硅烷（SiHCl3）复原法是当时制备高纯硅的首要办法，出产的悉数进程示意图如下：

　　（2）下列有关硅资料的说法正确的是__________________（填字母）。

　　（3）硅酸钠水溶液俗称水玻璃。取少数硅酸钠溶液于试管中，逐滴参加饱满氯化铵溶液，振动。写出试验现象并给予解说_______________________________。

　　科目：高中化学来历：2016届吉林省高一上学期期末考试化学试卷（解析版）题型：填空题

　　制备高纯硅的化学方程式: ____________________________________。

　　、HCl和另一种物质,配平后的化学反响方程式为___________________________;

　　或许引起的结果是____________________________________。

　　（3）硅酸钠水溶液俗称水玻璃。取少数硅酸钠溶液于试管中,逐滴参加稀硝酸,振动。写出试验现象并给予解说。