高热导氮化硅陶瓷基板具有高导热、高机械强度、高电绝缘、杰出的抗热冲击以及低胀大等特色，其归纳功能优于现在常用的氮化铝和氧化铝基板。氮化硅陶瓷基板在高端大功率电力、电子器材上有广泛的使用远景，可使用在高铁、新能源轿车、LED照明、风力发电和航空航天等职业。现在国内有关技术水平落后导致国内相关商场被欧、美、日等国家所独占。

　　经过长期研制，中国科学院上海硅酸盐研讨所曾宇平研讨员团队在高功能氮化硅基板资料范畴获得了重要发展。研讨团队经过对资料组分规划、显微结构调控、成型及烧结工艺等各环节准确操控和优化，突破了大尺度高热导氮化硅陶瓷基板研制关键技术，成功研制了高稳定性高热导氮化硅基板。现在氮化硅基板均匀热导率为95W/(m·k)，最优可到达120W/(m·k)，尺度到达120×120mm2，厚度0.32mm，且外观尺度能依据实践的需求调整。一起完成了氮化硅基板的覆铜，打通了高热导氮化硅基板批量化出产的工艺道路。现在商用氮化硅陶瓷基片的热导率一般在80～90W/(m·k)（如东芝的氮化硅基片(TSN-90)的热导率为90W/(m·k)），因而本产品的功能指标完全能满意商业化的需求。高热导氮化硅陶瓷基板的研讨成功，将为国产大功率半导体器材，特别是IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的出产和研制供给有力支撑，估计将具有很强的经济效益与社会效益。

　　相关研讨工作得到了国家重点研制方案、上海市基础研讨重点项目等科研项目的赞助。