金融界2025年8月14日音讯，国家知识产权局信息数据显现，华虹半导体制作（无锡）有限公司请求一项名为“闪存器材的制作的进程”的专利，公开号CN120475717A，请求日期为2025年04月。

　　专利摘要显现，本请求公开了一种闪存器材的制作的进程，包含：在浮栅多晶硅层上构成ONO层，浮栅多晶硅层构成于榜首氧化物层上，榜首氧化物层构成于衬底上，浮栅多晶硅层用于构成闪存器材的浮栅，ONO层从下而上顺次包含第二氧化物层、氮化硅层和第三氧化物层；在ONO层上构成掺氮氧化物层；在掺氮氧化物层上构成操控栅多晶硅层，操控栅多晶硅层用于构成闪存器材的操控栅。本请求经过在闪存器材的制作的过程中，在浮栅多晶硅层上构成ONO层后，在ONO层上构成掺氮氧化物层，进而在掺氮氧化物层上构成操控栅多晶硅层，因为掺氮氧化物层具有较大的介电常数，因而可以按捺掺杂元素的分散，改进闪存的读过错失效。

　　天眼查资料显现，华虹半导体制作（无锡）有限公司，成立于2022年，坐落无锡市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制作业为主的企业。企业注册资本402000万美元。经过天眼查大数据分析，华虹半导体制作（无锡）有限公司参加招投标项目374次，专利信息54条，此外企业还具有行政许可226个。